Toshiba XLL SRAM: память с рекордно низкими токами утечки Японская компания Toshiba Corporation заявила о разработке микросхем памяти типа SRAM, которые отличаются сверхнизкими токами утечки и, соответственно, высокой энергоэффективностью. Чипы XLL SRAM (eXtremely Low Leakage) выполнены на основе 65-нм техпроцесса и нацелены на использование в качестве высокоскоростной памяти в микроконтроллерах малой мощности. Новинки обеспечивают очень быстрый переход микроконтроллеров с глубокого спящего…