Ученые нашли способ оживить мертвые батареи. Специалисты из Национальной ускорительной лаборатории (SLAC), Министерства энергетики и Стэнфордского университета нашли возможность улучшения старых аккумуляторов и продления срока эксплуатации литий-ионных батарей. Потенциально данное изобретение позволит увеличить автономность аккумуляторов и продлить срок их жизни. Подробнее

Американские ученые рассказали о способе «оживления» старых аккумуляторов с помощью активации лития. Исследование было опубликовано в научном журнале Nature. Специалисты из Национальной ускорительной лаборатории (SLAC), Министерства энергетики и Стэнфордского университета нашли возможность улучшения старых аккумуляторов и продления срока эксплуатации литий-ионных батарей. Потенциально данное изобретение позволит увеличить автономность аккумуляторов и продлить срок их жизни. В научной работе говорится, что по мере старения в батареях накапливаются фрагменты так называемого мертвого лития. Ионы лития становятся неактивными, из-за чего сокращается срок работы аккумуляторов в смартфонах, электромобилях и прочей технике. С помощью особого способа зарядки можно сдвинуть неактивные фрагменты, стимулировав движение ионов лития в направление к аноду. «Это похоже на очень медленного червя, который продвигает голову вперед и втягивает хвост, чтобы двигаться нанометр за нанометром», — описал поведение неактивного иона лития профессор Стэнфордского университета и SLAC Йи Цуй (Yi Cui). В итоге специалистам удалось организовать зарядку старого аккумулятора таким образом, что срок его работы увеличился на 30 процентов. «Наши результаты имеют большое значение для проектирования и разработки более надежных литий-металлических батарей», — подчеркнул автор исследования Фан Лю (Fang Liu). По его словам, в будущем можно добиться создания более эффективных аккумуляторов, рассчитанных на длительный срок эксплуатации. В середине декабря специалисты IBM и Samsung описали перспективу достижения недельной автономности смартфона. Прорыв состоялся благодаря вертикальному расположению транзисторов в чипах вместо привычного горизонтального.